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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 55 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 51 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDP508BL | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR 17 A, 80 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET G |
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| NDP508BL | TI |
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17A, 80V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| NDP508BS62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| NDP510A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP510AE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDP510AEL | TI |
获取价格 |
15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP510AES62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDP510AL | TI |
获取价格 |
15A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| NDP510AS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDP510B | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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