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MWI100-06A8 PDF预览

MWI100-06A8

更新时间： 2024-11-18 19:58:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 78K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-19

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MWI100-06A8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SIXPACK-19
针数：19Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：130 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X19
JESD-609代码：e3元件数量：6
端子数量：19最高工作温度：125 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：410 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：180 ns
标称接通时间 (ton)：36 nsVCEsat-Max：2.5 V
Base Number Matches：1

MWI100-06A8 数据手册

 浏览型号MWI100-06A8的Datasheet PDF文件第2页 
MWI 100-06 A8  
IC25  
VCES  
VCE(sat) typ. = 2.0 V  
= 130 A  
= 600 V  
IGBT Modules  
Sixpack  
Short Circuit SOA Capability  
Square RBSOA  
13, 21  
1
2
5
6
9
10  
Preliminary data  
19  
17  
15  
E72873  
3
4
7
8
11  
12  
See outline drawing for pin arrangement  
14, 20  
Features  
IGBTs  
€NPT IGBT technology  
€low saturation voltage  
€low switching losses  
€switching frequency up to 30 kHz  
€square RBSOA, no latch up  
€high short circuit capability  
€positive temperature coefficient for  
easy parallelling  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C to 150°C  
600  
20  
V
V
VGES  
IC25  
IC80  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
130  
88  
A
A
€MOS input, voltage controlled  
€ultra fast free wheeling diodes  
€solderable pins for PCB mounting  
€package with copper base plate  
RBSOA  
VGE = 15 V; RG = 2.2 Ω; TVJ = 125°C  
ICM  
=
200  
A
µs  
W
Clamped inductive load; L = 100 µH  
VCEK ≤ VCES  
tSC  
(SCSOA)  
VCE = VCES; VGE = 15 V; RG = 2.2 Ω; TVJ = 125°C  
non-repetitive  
10  
Advantages  
Ptot  
TC = 25°C  
410  
€space savings  
€reduced protection circuits  
€package designed for wave soldering  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Typical Applications  
min.  
typ. max.  
€AC motor control  
€AC servo and robot drives  
€power supplies  
VCE(sat)  
IC = 100 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
2.0  
2.3  
2.5  
V
V
VGE(th)  
ICES  
IC = 1.5 mA; VGE = VCE  
4.5  
6.5  
V
VCE = VCES;VGE = 0 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
1.2 mA  
mA  
0.9  
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
400 nA  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
25  
11  
150  
30  
1.0  
2.9  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
Inductive load, TVJ = 125°C  
VCE = 300 V; IC = 100 A  
VGE = 15 V; RG = 2.2 Ω  
Cies  
QGon  
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz  
VCE = 300 V; VGE = 15 V; IC = 125 A  
4.3  
340  
nF  
nC  
RthJC  
(per IGBT)  
0.3 K/W  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2007 IXYS All rights reserved  
20070912a  
1 - 2  
12

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MWI100-06A8 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CM100TU-12F POWEREX

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 Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 100 Amperes/6
CM100TU-12F MITSUBISHI

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 HIGH POWER SWITCHING USE
6MBI100F-060 FUJI

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 IGBT MODULE

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