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MWI25-12E7

更新时间： 2024-09-23 21:22:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	165K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-17

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MWI25-12E7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SIXPACK-17	针数：	17
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	52 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	JESD-609代码：	e3
元件数量：	6	端子数量：	11
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	490 ns	标称接通时间 (ton)：	130 ns
VCEsat-Max：	2.4 V	Base Number Matches：	1

MWI25-12E7 数据手册

MWI 25-12 E7

I_C25

V_CES

V_{CE(sat) typ.}= 1.9 V

= 52 A

= 1200 V

IGBT Module

Sixpack

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

E72873

See outline drawing for pin arrangement

Features

• NPT³IGBTs

IGBTs

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient for

easy paralleling

T_VJ= 25°C to 150°C

1200

- fast switching

V_GES

- short tail current for optimized

performance also in resonant

circuits

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

• HiPerFRED^TMdiode:

I_CM

V_CEK

V_GE= 15 V; R_G= 39 Ω; T_VJ= 125°C

RBSOA; clamped inductive load; L = 100 µH

V_CES

µs

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

• Industry Standard Package

- solderable pins for PCB mounting

- isolated copper base plate

t_SC

V_CE= 900 V; V_GE= 15 V; R_G= 39 Ω; T_VJ= 125°C

SCSOA; non-repetitive

P_tot

T_C= 25°C

225

Typical Applications

Symbol

V_CE(sat)

Conditions

Characteristic Values

• AC drives

• power supplies with power factor

correction

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

I_C= 25 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.9

2.1

2.4

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

V_CE= V_CES

;

V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.4 mA

0.4

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

200 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

440

3.8

2.0

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 600 V; I_C= 25 A

V_GE= 15 V; R_G= 39 Ω

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600 V; V_GE= 15 V; I_C= 35 A

150

R_thJC

(per IGBT)

0.55 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4

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