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MWI225-17E9

更新时间： 2024-11-18 20:09:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	140K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 335A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29

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MWI225-17E9 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	其他特性：	UL REGONIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	335 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X17
JESD-609代码：	e3	元件数量：	6
端子数量：	17	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1400 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	610 ns
标称接通时间 (ton)：	290 ns	VCEsat-Max：	2.9 V
Base Number Matches：	1

MWI225-17E9 数据手册

Advanced Technical Information

MWI 225-17E9

I_C80

V_CES

V_CE(sat)typ.= 2.5 V

= 235 A

= 1700 V

IGBTModules

Sixpack

NPT³IGBT

11/12

9/10

7/8

E72873

See outline drawing for pin arrangement

Features

IGBTs

€NPT³IGBT technology

€low saturation voltage

€low switching losses

€square RBSOA, no latch up

€high short circuit capability

€positive temperature coefficient for

easy parallelling

€MOS input, voltage controlled

€ultra fast free wheeling diodes

€solderable pins for PCB mounting

€package with copper base plate

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 125°C

1700

V_GES

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

335

235

RBSOA

R = 5 Ω; T_VJ= 125°C

I_CM

470

Cl^Gamped inductive load; L = 100 µH

V_CEK≤ V_CES

t_SC

(SCSOA)

V_CE= 1200 V; V_GE= 15 V; R_G= 5 Ω;

T_VJ= 125°C; non-repetitive; V_CEmax< V_CES

µs

Advantages

€space savings

€reduced protection circuits

€package designed for wave soldering

P_tot

T_C= 25°C

1.4

Symbol

Conditions

Characteristic Values

Typical Applications

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

AC motor control

€

€AC servo and robot drives

€power supplies

V_CE(sat)

I_C= 225 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

2.5

2.9

3.4

V_GE(th)

I_CES

I_C= 20 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

V_CE= V_CES;V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.6 mA

4.4

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

500 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

180

110

500

110

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 900 V; I_C= 200 A

V_GE= 15 V; R_G= 5 Ω

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 700 V; V_GE= 15 V; I_C= 200 A

1.72

µC

R_thJC

0.085 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MWI25-12A7	IXYS	获取价格	IGBT Modules Sixpack
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MWI25-12A7T	IXYS	获取价格	IGBT Modules Sixpack
MWI25-12A7T	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, E2-PACK, SIXPACK-2
MWI25-12E7	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-17
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