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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X13 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 13 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 570 ns | 标称接通时间 (ton)： | 170 ns |
| VCEsat-Max： | 2.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWI25-12E7 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-17 |
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| MWI300-12E9 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 530A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-29 |
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| MWI300-17E9 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 500A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29 |
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| MWI30-06A7 | IXYS |
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IGBT Modules |
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| MWI30-06A7T | IXYS |
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IGBT Modules |
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| MWI35-12A5 | IXYS |
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IGBT Modules Sixpack |
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| MWI35-12A7 | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules |
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| MWI35-12A7T | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules |
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| MWI35-12T7T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-28 |
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| MWI35-12T7T | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-28 |
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