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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.67 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X11 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 11 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 570 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 170 ns | VCEsat-Max： | 2.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWI25-12A7T | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules Sixpack |
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| MWI25-12A7T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, E2-PACK, SIXPACK-2 |
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| MWI25-12E7 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-17 |
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| MWI300-12E9 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 530A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-29 |
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| MWI300-17E9 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 500A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29 |
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| MWI30-06A7 | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules |
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| MWI30-06A7T | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules |
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| MWI35-12A5 | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules Sixpack |
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| MWI35-12A7 | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules |
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| MWI35-12A7T | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules |
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