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MWI75-12A8

更新时间： 2024-02-16 13:44:59

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IXYS		晶体晶体管开关功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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IGBT Modules

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MWI75-12A8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SIXPACK-33
针数：	33	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.79	其他特性：	ULTRA FAST, LOW SWITCHING LOSS, LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	125 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X33
JESD-609代码：	e3	元件数量：	6
端子数量：	33	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	700 ns
标称接通时间 (ton)：	150 ns	VCEsat-Max：	2.6 V

MWI75-12A8 数据手册

MWI 75-12 A8

I_C25

V_CES

V_{CE(sat) typ.}= 2.2 V

= 125 A

= 1200 V

IGBT Modules

Sixpack

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

13, 21

14, 20

Features

IGBTs

• NPT IGBT technology

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

• low saturation voltage

• low switching losses

T_VJ= 25°C to 150°C

1200

• switching frequency up to 30 kHz

• square RBSOA, no latch up

• high short circuit capability

• positive temperature coefficient for

easy parallelling

V_GES

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

125

• MOS input, voltage controlled

• ultra fast free wheeling diodes

• solderable pins for PCB mounting

• package with copper base plate

RBSOA

V_GE= 15 V; R_G= 15 Ω; T_VJ= 125°C

I_CM

150

µs

Clamped inductive load; L = 100 µH

V_CEK≤ V_CES

t_SC

(SCSOA)

V_CE= V_CES; V_GE= 15 V; R_G= 15 Ω; T_VJ= 125°C

non-repetitive

Advantages

P_tot

T_C= 25°C

500

• space savings

• reduced protection circuits

• package designed for wave soldering

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

Typical Applications

min.

typ. max.

• AC motor control

• AC servo and robot drives

• power supplies

V_CE(sat)

I_C= 75 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

2.2

2.5

2.6

V_GE(th)

I_CES

I_C= 3 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

V_CE= V_CES;V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

400 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

100

650

12.1

10.5

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 600 V; I_C= 75 A

V_GE= 15 V; R_G= 15 Ω

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600V; V_GE= 15 V; I_C= 75 A

5.5

350

R_thJC

(per IGBT)

0.25 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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