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MWI75-12E8 PDF预览

MWI75-12E8

更新时间： 2024-01-25 12:33:40
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
IGBT Modules

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MWI75-12E8 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MODULE包装说明：MODULE-19
针数：19Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：130 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-P11JESD-609代码：e3
元件数量：6端子数量：11
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：500 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：730 ns标称接通时间 (ton)：210 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

MWI75-12E8 数据手册

 浏览型号MWI75-12E8的Datasheet PDF文件第2页 
Advanced Technical Information  
MWI 75-12 E8  
IC25  
VCES  
VCE(sat) typ. = 2.0 V  
= 130 A  
= 1200 V  
IGBT Modules  
Sixpack  
Short Circuit SOA Capability  
Square RBSOA  
13, 21  
1
2
5
6
9
10  
19  
17  
15  
B3  
3
4
7
8
11  
12  
14, 20  
Features  
IGBTs  
• IGBTs  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
- low saturation voltage  
- positive temperature coefficient  
- fast switching  
- short tail current for optimized  
performance also in resonant circuits  
• HiPerFREDTM diode:  
TVJ = 25°C to 150°C  
1200  
V
V
±
VGES  
20  
IC25  
IC80  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
130  
90  
A
A
- fast reverse recovery  
- low operating forward voltage  
- low leakage current  
• Industry Standard Package  
- solderable pins for PCB mounting  
- isolated copper base plate  
±
RBSOA  
VGE = 15 V; R = 15 Ω; TVJ = 125°C  
ICM  
=
150  
A
µs  
W
Clamped inducGtive load; L = 100 µH  
VCEK ≤ VCES  
±
tSC  
(SCSOA)  
VCE = 900 V; VGE = 15 V; RG = 15 Ω; TVJ = 125°C  
non-repetitive  
10  
Ptot  
TC = 25°C  
500  
Typical Applications  
• AC drives  
• power supplies with power factor  
correction  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ. max.  
VCE(sat)  
IC = 75 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
2.0  
2.2  
2.5  
V
V
VGE(th)  
ICES  
IC = 3 mA; VGE = VCE  
4.5  
6.5  
V
VCE = VCES; VGE = 0 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
1.1 mA  
mA  
1.1  
±
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
400 nA  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
150  
60  
680  
50  
9.0  
7.5  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
Inductive load, TVJ = 125°C  
VCE = 600 V; IC = 75 A  
±
VGE = 15 V; RG = 15 Ω  
Cies  
QGon  
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz  
VCE = 600V; VGE = 15 V; IC = 75 A  
5.7  
0.75  
nF  
µC  
RthJC  
(per IGBT)  
0.25 K/W  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2001 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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MWI75-12E8 替代型号

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