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MWI80-12T6K

更新时间： 2024-01-07 00:16:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	111K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, E1-PACK, SIXPACK-24

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MWI80-12T6K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	E1-PACK, SIXPACK-24
针数：	24	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X13	元件数量：	6
端子数量：	13	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	610 ns	标称接通时间 (ton)：	140 ns
Base Number Matches：	1

MWI80-12T6K 数据手册

MWI 80-12T6K

I_C25

V_CES

= 80A

= 1200V

IGBT Module

Sixpack

V_{CE(sat) typ.}= 2.0V

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

Preliminary data

Part name (Marking on product)

MWI 80-12T6K

10, 23

11, 12

15, 16

19, 20

NTC

E72873

Pin conﬁguration see outlines.

9, 24

Features:

Application:

Package:

• Trench IGBTs

- low saturation voltage

• AC drives

• UPS

• UL registered

• Industry standard E1-pack

- positive temperature coefﬁcient for

easy paralleling

• Welding

- fast switching

- short tail current for optimized

performance also in resonant circuits

• HiPerFRED^TMdiode:

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

• Industry Standard Package

- solderable pins for PCB mounting

- isolated copper base plate

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20170925b

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