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MWI75-12T8T

更新时间： 2024-01-21 23:20:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 292K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-35

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MWI75-12T8T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：110 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X21
元件数量：6端子数量：21
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：360 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：740 ns
标称接通时间 (ton)：320 nsVCEsat-Max：2.1 V
Base Number Matches：1

MWI75-12T8T 数据手册

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MWI75-12T8T  
V
CESꢀ =ꢀ1200ꢀV  
Six-Pack  
Trench IGBT  
I
C25ꢀ =ꢀ 110ꢀA  
VCE(sat)ꢀ=ꢀ 1.7ꢀV  
Partꢀname (Marking on product)  
MWI75-12T8T  
16, 17, 18  
30, 31, 32  
D1  
D3  
D5  
T1  
T3  
T5  
5
6
9
1
19  
10  
2
27  
28  
29  
24  
25  
26  
21  
22  
23  
E72873  
NTC  
Pin configuration see outlines.  
D2  
D4  
D6  
20  
T2  
T4  
T6  
3
4
7
8
11  
12  
13, 14, 15  
33, 34, 35  
Features:  
Application:  
Package:  
• Trench IGBT technology  
• low saturation voltage  
• low switching losses  
• square RBSOA, no latch up  
• high short circuit capability  
• positive temperature coefficient  
for easy parallelling  
• AC motor drives  
• Solar inverter  
• Medical equipment  
• Uninterruptible power supply  
• Air-conditioning systems  
• Welding equipment  
• "E3-Pack" standard outline  
• Insulated copper base plate  
• Soldering pins for PCB mounting  
• Temperature sense included  
• Switched-mode and  
• MOS input, voltage controlled  
• ultra fast free wheeling diodes  
resonant-mode power supplies  
• solderable pins for PCB mounting  
• package with copper base plate  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2010 IXYS All rights reserved  
20100910c  
1 - 7  
1234567

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与MWI75-12T8T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MWI80-12T6K LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, E1-PACK, SIXPACK-2
MWI80-12T6K IXYS

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 		IGBT Module Sixpack Short Circuit SOA Capability Square RBSOA
MWIC930 MOTOROLA

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 		RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MWIC930GNR1 FREESCALE

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 		RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MWIC930GNR1 NXP

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 		746 MHz - 960 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CA
MWIC930GR1 MOTOROLA

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 		RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MWIC930GR1 NXP

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 		IC,RF AMPLIFIER,SINGLE,MOS,FLANGE MT,PLASTIC
MWIC930NR1 FREESCALE

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 		RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MWIC930NR1 NXP

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 		Single N-CDMA, GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 746-960 MHz, 30
MWIC930NR1,528 NXP

获取价格

 		Wide Band High Power Amplifier

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