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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | MODULE-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.57 |
| Samacsys Description： | IGBT MODULE 1200V 110A 355W E2 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 110 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X21 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 21 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 355 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 610 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 340 ns | VCEsat-Max： | 2.15 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWI75-12T8T | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-35 |
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| MWI80-12T6K | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, E1-PACK, SIXPACK-2 |
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| MWI80-12T6K | IXYS |
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IGBT Module Sixpack Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
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| MWIC930 | MOTOROLA |
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RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
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| MWIC930GNR1 | FREESCALE |
获取价格 |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
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| MWIC930GNR1 | NXP |
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746 MHz - 960 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CA |
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| MWIC930GR1 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
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| MWIC930GR1 | NXP |
获取价格 |
IC,RF AMPLIFIER,SINGLE,MOS,FLANGE MT,PLASTIC |
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| MWIC930NR1 | FREESCALE |
获取价格 |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
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| MWIC930NR1 | NXP |
获取价格 |
Single N-CDMA, GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 746-960 MHz, 30 |
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