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MWI35-12A7T

更新时间： 2024-11-17 22:05:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 111K
描述
IGBT Modules

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MWI35-12A7T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.64其他特性：ULTRA FAST, LOW SWITCHING LOSS, LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：62 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X19JESD-609代码：e3
元件数量：6端子数量：19
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：570 ns
标称接通时间 (ton)：180 nsBase Number Matches：1

MWI35-12A7T 数据手册

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MWI 35-12 A7  
MWI 35-12 A7T  
IC25  
VCES  
VCE(sat) typ. = 2.2 V  
= 62 A  
= 1200 V  
IGBT Modules  
Sixpack  
Short Circuit SOA Capability  
Square RBSOA  
13  
1
2
5
6
9
T
T
Preliminary Data  
10  
NTC  
16  
15  
14  
Type:  
NTC - Option:  
3
4
7
8
11  
12  
MWI 35-12 A7  
MWI 35-12 A7T  
without NTC  
with NTC  
17  
Features  
IGBTs  
●
NPT IGBT technology  
low saturation voltage  
low switching losses  
switching frequency up to 30 kHz  
square RBSOA, no latch up  
high short circuit capability  
positive temperature coefficient for  
●
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
●
●
TVJ = 25°C to 150°C  
1200  
V
V
●
±
VGES  
20  
●
●
IC25  
IC80  
TC = 25°C  
TC = 80°C  
62  
44  
A
A
easy parallelling  
MOS input, voltage controlled  
ultra fast free wheeling diodes  
solderable pins for PCB mounting  
●
●
±
RBSOA  
VGE = 15 V; RG = 39 W; TVJ = 125°C  
ICM  
=
70  
A
µs  
W
●
Clamped inductive load; L = 100 µH  
VCEK £ VCES  
●
package with copper base plate  
±
tSC  
(SCSOA)  
VCE = VCES; VGE = 15 V; RG = 39 W; TVJ = 125°C  
non-repetitive  
10  
Advantages  
Ptot  
TC = 25°C  
280  
●
space savings  
reduced protection circuits  
package designed for wave soldering  
●
●
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ. max.  
Typical Applications  
VCE(sat)  
IC = 35 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
2.2  
2.6  
2.8  
V
V
●
AC motor control  
●
AC servo and robot drives  
power supplies  
VGE(th)  
ICES  
IC = 1.2 mA; VGE = VCE  
4.5  
6.5  
2
V
●
VCE = VCES;VGE = 0 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
mA  
mA  
2
±
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
200 nA  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
100  
80  
500  
70  
5.4  
4.2  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
Inductive load, TVJ = 125°C  
VCE = 600 V; IC = 35 A  
±
VGE = 15 V; RG = 39 W  
Cies  
QGon  
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz  
VCE = 600V; VGE = 15 V; IC = 35 A  
2000  
140  
pF  
nC  
RthJC  
(per IGBT)  
0.44 K/W  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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与MWI35-12A7T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MWI35-12T7T LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-28
MWI35-12T7T IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-28
MWI450-12E9 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 640A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-29
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