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MWI50-06A7

更新时间： 2024-01-20 17:20:11

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IXYS		晶体晶体管开关功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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IGBT Modules

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MWI50-06A7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-P13	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	其他特性：	ULTRA FAST, LOW SWITCHING LOSS, LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	72 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-P13
JESD-609代码：	e3	元件数量：	6
端子数量：	13	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	330 ns
标称接通时间 (ton)：	110 ns	VCEsat-Max：	2.4 V
Base Number Matches：	1

MWI50-06A7 数据手册

MWI 50-06 A7

MWI 50-06 A7T

I_C25

V_CES

V_{CE(sat) typ.}= 1.9 V

= 72 A

= 600 V

IGBT Modules

Sixpack

Short Circuit SOA Capability

Square RBSOA

Preliminary Data

NTC

Type:

NTC - Option:

MWI 50-06 A7

MWI 50-06 A7T

without NTC

with NTC

Features

IGBTs

●

NPT IGBT technology

low saturation voltage

low switching losses

switching frequency up to 30 kHz

square RBSOA, no latch up

high short circuit capability

positive temperature coefficient for

●

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

●

T_VJ= 25°C to 150°C

600

●

V_GES

●

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

easy parallelling

MOS input, voltage controlled

ultra fast free wheeling diodes

solderable pins for PCB mounting

●

RBSOA

V_GE= 15 V; R_G= 22 W; T_VJ= 125°C

I_CM

100

µs

●

Clamped inductive load; L = 100 µH

V_CEK£ V_CES

●

package with copper base plate

t_SC

(SCSOA)

V_CE= V_CES; V_GE= 15 V; R_G= 22 W; T_VJ= 125°C

non-repetitive

Advantages

P_tot

T_C= 25°C

225

●

space savings

reduced protection circuits

package designed for wave soldering

●

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

Typical Applications

V_CE(sat)

I_C= 50 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.9

2.2

2.4

●

AC motor control

●

AC servo and robot drives

power supplies

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

●

V_CE= V_CES;V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.6 mA

0.7

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

200 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

300

2.3

1.7

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 300 V; I_C= 50 A

V_GE= 15 V; R_G= 22 W

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 300V; V_GE= 15 V; I_C= 50 A

2800

120

R_thJC

(per IGBT)

0.55 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4

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MWI50-06A7 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MWI75-06A7	IXYS	类似代替	MWI75-06A7
MG75J6ES50	TOSHIBA	功能相似	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
6MBI50L-060	FUJI	功能相似	IGBT(600V 50A)

与MWI50-06A7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MWI50-06A7T	IXYS	获取价格	IGBT Modules
MWI50-12A5	IXYS	获取价格	IGBT Modules Sixpack
MWI50-12A7	IXYS	获取价格	IGBT Modules Sixpack
MWI50-12A7T	IXYS	获取价格	IGBT Modules Sixpack
MWI50-12E6K	SENSITRON	获取价格	IGBT Module Sixpack
MWI50-12E7	IXYS	获取价格	Short Circuit SOA Capability Square RBSOA
MWI50-12F7	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
MWI60-06G6K	IXYS	获取价格	Sixpack Square RBSOA
MWI75-06A7	IXYS	获取价格	MWI75-06A7
MWI75-06A7T	IXYS	获取价格	MWI75-06A7

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