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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SIXPACK-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 60 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X28 |
| 元件数量： | 7 | 端子数量： | 28 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 700 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 120 ns | VCEsat-Max： | 2.1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWI450-12E9 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 640A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-29 |
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| MWI450-17E9 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 540A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29 |
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| MWI451-17E9 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 580A I(C), 1700V V(BR)CES, |
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| MWI45-12T6K | IXYS |
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IGBT Module Sixpack |
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| MWI50-06A7 | IXYS |
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IGBT Modules |
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| MWI50-06A7T | IXYS |
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IGBT Modules |
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| MWI50-12A5 | IXYS |
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IGBT Modules Sixpack |
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| MWI50-12A7 | IXYS |
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IGBT Modules Sixpack |
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| MWI50-12A7T | IXYS |
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IGBT Modules Sixpack |
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| MWI50-12E6K | SENSITRON |
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IGBT Module Sixpack |
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