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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MODULE | 包装说明： | MODULE-24 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 51 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X19 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 19 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 490 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 140 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWI50-12E7 | IXYS |
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Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
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| MWI50-12F7 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| MWI60-06G6K | IXYS |
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Sixpack Square RBSOA |
|
| MWI75-06A7 | IXYS |
获取价格 |
MWI75-06A7 |
|
| MWI75-06A7T | IXYS |
获取价格 |
MWI75-06A7 |
|
| MWI75-12A5 | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules Sixpack |
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| MWI75-12A8 | IXYS |
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IGBT Modules |
|
| MWI75-12E8 | IXYS |
获取价格 |
IGBT Modules |
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| MWI75-12T7T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28 |
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| MWI75-12T7T | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28 |
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