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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19 |
| 针数： | 19 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW SATURATION VOLTAGE | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X19 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 19 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1500 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 800 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MWI100-06A8 | IXYS |
功能相似  |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-19 |
|
| BSM100GD60DLC | INFINEON |
功能相似 |
IGBT-Modules |
|
| CM100TU-12F | POWEREX |
功能相似 |
Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 100 Amperes/6 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI100FA060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
|
| 6MBI100FA-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
|
| 6MBI100J060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
|
| 6MBI100L-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE(L series) |
|
| 6MBI100S-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| 6MBI100S-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE(S series) |
|
| 6MBI100S-120_10 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
|
| 6MBI100S-120-01 | FUJI |
获取价格 |
IGBT Module |
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| 6MBI100S-140 | ETC |
获取价格 |
IGBTs |
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| 6MBI100S-140_01 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( S series) 1400V / 100A 6 in one-package |
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