Datasheet > MWI225-12E9

MWI225-12E9

更新时间： 2024-11-21 19:45:19

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	416K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 355A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MWI225-12E9 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17	针数：	29
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	UL REGONIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	355 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X17
JESD-609代码：	e3	元件数量：	6
端子数量：	17	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	800 ns	标称接通时间 (ton)：	350 ns
Base Number Matches：	1

MWI225-12E9 数据手册

MWI 225-12 E9

I_C80

V_CES

= 250 A

= 1200 V

IGBT Modules

Sixpack

V_{CE(sat) typ.}= 2.1 V

NPT³IGBT

11/12

9/10

7/8

See outline drawing for pin arrangement

Features

• NPT³IGBT technology

• low saturation voltage

• low switching losses

• square RBSOA, no latch up

• high short circuit capability

• positive temperature coefﬁcient for

easy parallelling

IGBTs

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 125°C

1200

V_GES

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

355

250

• MOS input, voltage controlled

• ultra fast free wheeling diodes

• solderable pins for PCB mounting

• package with copper base plate

RBSOA

R_G= 5 Ω; T_VJ= 125°C

Clamped inductive load; L = 100 µH

I_CM= 500

V_CEK< V_CES

t_SC

V_CE= 900 V; V_GE= 15 V; R_G= 5 Ω

µs

(SCSOA) T_VJ= 125°C; non-repetitive; V_CEmax< V_CES

P_tot

T_C= 25°C

1.4

Advantages

• space savings

• reduced protection circuits

• package designed for wave soldering

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

min. typ. max.

Typical Applications

V_CE(sat)

I_C= 225 A; V_GE= 15 V

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

2.1

2.4

2.5

2.9

• AC motor control

• AC servo and robot drives

• power supplies

V_GE(th)

I_CES

I_C= 8 mA; V_GE= V_CE

V_CE= V_CES; V_GE= 0 V

4.5

6.5

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

400

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

180

100

650

120

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 600 V; I_C= 200 A

V_GE= 15 V; R_G= 3.6 Ω

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600 V; V_GE= 15 V; I_C= 300 A

1.5

µC

R_thJC

0.09 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20100421a

1 - 5

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与MWI225-12E9相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MWI225-17E9	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 335A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29
MWI225-17E9	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 335A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29
MWI25-12A7	IXYS	获取价格	IGBT Modules Sixpack
MWI25-12A7	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, E2-PACK, SIXPACK-2
MWI25-12A7T	IXYS	获取价格	IGBT Modules Sixpack
MWI25-12A7T	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, E2-PACK, SIXPACK-2
MWI25-12E7	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-17
MWI300-12E9	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 530A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-29
MWI300-17E9	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 500A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-29
MWI30-06A7	IXYS	获取价格	IGBT Modules

与MWI225-12E9相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MWI225-12E9

MWI225-12E9 技术参数

MWI225-12E9 数据手册

与MWI225-12E9相关器件

与MWI225-12E9相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MWI225-12E9

MWI225-12E9 技术参数

MWI225-12E9 数据手册

与MWI225-12E9相关器件

与MWI225-12E9相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？