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MWI150-12T8T

更新时间： 2024-11-18 12:35:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	222K
描述
Six-Pack Trench IGBT

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MWI150-12T8T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	E3-PACK, SIXPACK-35
针数：	35	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	215 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X13
元件数量：	6	端子数量：	13
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	690 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	840 ns
标称接通时间 (ton)：	320 ns	VCEsat-Max：	2.1 V
Base Number Matches：	1

MWI150-12T8T 数据手册

MWI150-12T8T

V_CES= 1200 V

Six-Pack

Trench IGBT

I_C25

= 215 A

V_CE(sat)

1.7 V

Part name (Markingꢀonꢀproduct)

MWI150-12T8T

16, 17, 18

30,ꢀ31,ꢀ32

NTC

Eꢀ72873

Pin conﬁguration see outlines.

13,ꢀ14,ꢀ15

33,ꢀ34,ꢀ35

Features:

Application:

Package:

•ꢀTrenchꢀIGBTꢀtechnology

•ꢀlowꢀsaturationꢀvoltage

•ꢀlowꢀswitchingꢀlosses

•ꢀsquareꢀRBSOA,ꢀnoꢀlatchꢀup

•ꢀhighꢀshortꢀcircuitꢀcapability

•ꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefﬁcient

ꢀ forꢀeasyꢀparallelling

•ꢀACꢀmotorꢀdrives

•ꢀSolarꢀinverter

•ꢀMedicalꢀequipment

•ꢀUninterruptibleꢀpowerꢀsupplyꢀ

•ꢀAir-conditioningꢀsystems

•ꢀWeldingꢀequipment

•ꢀ"E3-Pack"ꢀstandardꢀoutline

•ꢀInsulatedꢀcopperꢀbaseꢀplate

•ꢀSolderingꢀpinsꢀforꢀPCBꢀmounting

•ꢀTemperatureꢀsenseꢀincluded

•ꢀSwitched-modeꢀand

•ꢀMOSꢀinput,ꢀvoltageꢀcontrolled

•ꢀultraꢀfastꢀfreeꢀwheelingꢀdiodes

•ꢀsolderableꢀpinsꢀforꢀPCBꢀmounting

•ꢀpackageꢀwithꢀcopperꢀbaseꢀplate

ꢀ resonant-modeꢀpowerꢀsupplies

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20081209b

1 - 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MWI15-12A7	IXYS	获取价格	IGBT Modules Sixpack
MWI15-12A7	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, E2-PACK, SIXPACK-2
MWI15-12A7T	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
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