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MTM23110

更新时间： 2024-10-15 20:02:43

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	265K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMINI3-G1, 3 PIN

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MTM23110 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTM23110 数据手册

Attains the industry’s lowest on-resistance with an SMini (2120) package size.

Small, Low On-Resistance MOSFET Series

Overview

The new MTM23123/MTM23110/MTM23223/MTM23224

MOSFETs contribute to reduced dimensions and weight as well as

lower power consumption for cellular phones, digital still cameras,

digital video cameras, notebook PCs, AV systems and other

electronic equipment. This, in turn, results in longer operation time

for battery-driven equipment.

Unit : mm

+0.10

–0.05

+0.1

–0.0

0.15

0.3

Feature

• Low voltage operation possible (1.8V, 2.5V and 4V)

• Latest micromachining process achieves 14mΩ mm²(P channel)/4.6mΩ

mm²(N channel)

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

• Package: SMini3-G1

10˚

SMini3-G1

Applications

Mobile electronic equipment, cellular phones, digital still cameras and digital video cameras

Specifications

VDSS

(V)

VGSS

(V)

(A)

R_DS(on) (typ) (mΩ)

Polarity

Model

Ciss (pF)

Package

V_GS4.0V

V_GS2.5V

MTM23123

MTM23110

MTM23223

MTM23224

-20

-12

±10

±8

-3.0

-4.0

4.5

1000

1200

SMini3-G1

±10

1.2

250

Products and specifications are subject to change without notice.

Please ask for the latest Product Standards to guarantee the satisfaction

of your product requirements.

1 Kotari-yakemachi, Nagaokakyo, Kyoto 617-8520, Japan

Tel. +81-75-951-8151

New publication, effective from 31 Oct. 2005

M00695BE

http://panasonic.co.jp/semicon

12 3 4 5 6 7...11

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与MTM23110相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTM23123	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM231230L	PANASONIC	获取价格	Silicon P-channel MOSFET For Switching
MTM231232LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM23223	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM232230LBF	PANASONIC	获取价格	Silicon N-channel MOS FET
MTM232232LBF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM23224	PANASONIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM232270LBF	PANASONIC	获取价格	Silicon N-channel MOSFET For switching Low drive voltage: 2.5 V drive
MTM24N50	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 450V 24A
MTM24N50E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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