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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM25P05 | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 50V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM25P06 | MOTOROLA |
获取价格 |
25A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM26N40E | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 400V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTM2N50 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM2N50 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R |
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| MTM2N85 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 850V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM2N85 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R |
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| MTM2N90 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM2N90 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R |
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| MTM35N05 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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