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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 400 pF | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 450 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 510 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM35N06 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTM35N06E | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTM3N100 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM3N60 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM3N75 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 750V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM3N80 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 800V, 7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM3N95 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 950V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM3P25 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM40N20 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM45N05E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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