是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.89 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 850 V |
最大漏极电流 (ID): | 2 A | 最大漏源导通电阻: | 8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 80 pF |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 7 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 300 ns | 最大开启时间(吨): | 200 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTM2N90 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
MTM2N90 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R | |
MTM35N05 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTM35N06 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTM35N06E | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTM3N100 | MOTOROLA |
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3A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
MTM3N60 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTM3N75 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 750V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
MTM3N80 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 800V, 7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
MTM3N95 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 950V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |