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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 26 A | 最大漏极电流 (ID)： | 26 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 300 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM2N50 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM2N50 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R |
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| MTM2N85 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 850V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM2N85 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R |
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| MTM2N90 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM2N90 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R |
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| MTM35N05 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTM35N06 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTM35N06E | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTM3N100 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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