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MTM23223 PDF预览

MTM23223

更新时间： 2024-10-15 20:39:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 392K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMINI3-G1, 3 PIN

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MTM23223 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTM23223 数据手册

 浏览型号MTM23223的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MTM23223的Datasheet PDF文件第3页 
Silicon MOSFETs (Small Signal)  
MTM23123  
Silicon P-channel MOSFET  
For digital circuits  
Unit: mm  
–0.05  
+0.10  
+0.1  
–0.0  
0.15  
0.3  
Features  
3
Low voltage drive (2.5 V, 4 V)  
Realization of low on-resistance, using extremely fine process (14 mΩ
/mm
2)  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
1
2
Parameter  
Drain-source surrender voltage  
Gate-source surrender voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
−
20  
Unit  
V
(0.65) (0.65)  
1.3±0.1  
2.0±0.2  
V
±10  
10°  
A
−
3.0  
1
Peak drain current
*  
IDP  
A
−
16  
2
Power dissipation
*  
PD  
500  
mW  
°
C  
°
C  
1: Gate  
Channel temperature  
Storage temperature  
T
ch  
150  
2: Source  
3: Drain  
T
stg  
–55 to +150  
SMini3-G1 Package  
Note) 1: Pulse width ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%  
*
Marking Symbol: BL  
Internal Connection  
2: Measuring on ceramic substrate at 40 mm 38 mm 0.1 mm  
Absolute maximum rating without heat sink for PD is 150 mW  
*
(D)  
3
1
2
(G)  
(S)  
Electrical Characteristics T
a
= 25
°
C
±
3
°
C  
Parameter  
Drain-source surrender voltage  
Drain-source cutoff current  
Gate-source cutoff current  
Gate threshold voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VDSS  
IDSS  
IGSS  
VTH  
ID
−
1 mA, VGS = 0  
−
20  
VDS
−
20 V, VGS = 0  
−
1.0  
±10  
−
1.3  
55  
µA  
µA  
V
VGS ±8 V, VDS = 0  
ID
−
1.0 mA, VDS
−
10.0 V  
ID
−
1A, VGS
−
4.0 V  
ID
−
0.5A, VGS
−
2.5 V  
ID
−
1.0A, VDS
−
10 V, f = 1 kHz  
−
0.4  
3.5  
−
0.85  
40  
1
Drain-source ON resistance
*  
RDS(on)  
mΩ  
S
45  
70  
1
Forward transfer admittance
*  
Yfs  
Short-circuit forward transfer capacitance  
(Common source)  
Ciss  
1000  
120  
pF  
Short-circuit output capacitance  
(Common source)  
VDS
−
10 V, VGS = 0, f = 1 MHz  
Coss  
pF  
Reverse transfer capacitance (Common source)  
Crss  
td(on)  
tr  
120  
25  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
2
Turn-on delay time
*  
V
DD
−
10V,V
GS
= 0Vto
−
4V, I
D
−
1A  
V
DD
−
10V,V
GS
= 0Vto
−
4V, I
D
−
1A  
V
DD
−10V,V
GS
−
4Vto0V, I
D
−
1A  
V
DD
−10V,V
GS
−
4Vto0V, I
D
−
1A  
2
Rise time
*  
25  
2
Fall time
*  
tf  
70  
2
Turn-off delay time
*  
td(off)  
120  
Publication date: October 2005  
SJF00049AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Silicon N-channel MOS FET
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