是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 24 A |
最大漏源导通电阻: | 0.25 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204AE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 300 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTM25N05 | MOTOROLA |
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25A, 50V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
MTM25N05L | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTM25N06 | MOTOROLA |
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25A, 60V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
MTM25N06L | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTM25N10 | MOTOROLA |
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POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
MTM25N10 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R | |
MTM25N10E | MOTOROLA |
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25A, 100V, 0.075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE | |
MTM25P05 | MOTOROLA |
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25A, 50V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
MTM25P06 | MOTOROLA |
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25A, 60V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
MTM26N40E | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 400V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |