Datasheet > MTM232270LBF

MTM232270LBF

更新时间： 2024-10-15 12:03:15

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		驱动器开关
页数	文件大小	规格书
7页	313K
描述
Silicon N-channel MOSFET For switching Low drive voltage: 2.5 V drive

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MTM232270LBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	1.69	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MTM232270LBF 数据手册

MTM232270LBF

Silicon N-channel MOSFET

Unit: mm

For switching

MTM13227 in SMini3 type package

Features

y Low drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 85 mΩ (VGS = 4.0 V)

y Low drive voltage: 2.5 V drive

y Halogen-free / RoHS compliant

(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)

Marking Symbol: ET

Packaging

1. Gate

MTM232270LBF Embossed type (Thermo-compression sealing):

2. Source

3. Drain

3 000 pcs / reel (standard)

Panasonic

JEITA

Code

SMini3-G1-B

SC-70

SOT-323

■ Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

Internal Connection

Parameter

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain current

Symbol

VDS

VGS

Rating

Unit

2.0

Drain Current (Pulsed) ^*1

Total Power Dissipation ^*2

Channel Temperature

IDp

Tch

Tstg

500

150

°C

Storage Temperature Range

-55 to +150

Note: *1

Pulse width ≤ 10 μs、Duty cycle ≤ 1%

Measuring on ceramic board at 40 mm × 38 mm × 0.1 mm.

Absolute maximum rating PD without heat sink shall be made 150 mW.

Pin name

1. Gate

2. Source

3. Drain

Publication date: September 2012

Ver. CED

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与MTM232270LBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTM24N50	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 450V 24A
MTM24N50E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
MTM25N05	MOTOROLA	获取价格	25A, 50V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
MTM25N05L	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM25N06	MOTOROLA	获取价格	25A, 60V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
MTM25N06L	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM25N10	MOTOROLA	获取价格	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM25N10	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SMini3-G1 T/R
MTM25N10E	MOTOROLA	获取价格	25A, 100V, 0.075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
MTM25P05	MOTOROLA	获取价格	25A, 50V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA