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MTM232230LBF

更新时间： 2024-10-15 12:31:39
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松下 - PANASONIC /
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7页 371K
描述
Silicon N-channel MOS FET

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MTM232230LBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：SC-70, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.69
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTM232230LBF 数据手册

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Doc No. TT4-EA-12901  
Revision. 3  
MOS FET  
MTM232230LBF  
MTM232230LBF  
Silicon N-channel MOS FET  
Unit : mm  
2.0  
0.3  
For switching  
0.15  
3
Features  
Low drain-source On-state resistance : RDS(on) typ = 20 m(VGS = 4.0 V)  
Low drive voltage: 2.5 V drive  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)  
1
2
Marking Symbol :  
Packaging  
BK  
0.9  
(0.65)(0.65)  
1.3  
Embossed type (Thermo-compression sealing) : 3 000 pcs / reel (standard)  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C  
項目  
Drain-source Voltage  
Panasonic  
JEITA  
SMini3-G1-B  
SC-70  
SOT-323  
記号  
VDS  
VGS  
ID  
IDp  
PD  
Tch  
Topr  
Tstg  
定格  
20  
10  
4.5  
18  
単位  
Code  
V
Gate-source Voltage  
Drain current  
A
A
mW  
C  
C  
C  
*1  
Internal Connection  
Peak drain current  
Power dissipation *2  
500  
150  
-40 to + 85  
-55 to +150  
(D)  
3
Channel temperature  
Operating ambient temperature  
Storage Temperature Range  
Note) *1  
*2  
Pulse width ≦10 s, Duty cycle ≦1 %  
Measuring on ceramic board at 40 38 0.1 mm  
Absolute maximum rating PD without heat sink shall be made 150 mW.  
1
2
(G)  
(S)  
Pin Name  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
Page 1 of 6  
Established : 2010-12-15  
Revised : 2013-07-01  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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