5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MTM23123
MTM23123 PDF预览

MTM23123

更新时间： 2024-10-15 20:39:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 392K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMINI3-G1, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

MTM23123 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MTM23123 数据手册

 浏览型号MTM23123的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MTM23123的Datasheet PDF文件第3页 
Silicon MOSFETs (Small Signal)  
MTM23123  
Silicon P-channel MOSFET  
For digital circuits  
Unit: mm  
–0.05  
+0.10  
+0.1  
–0.0  
0.15  
0.3  
Features  
3
Low voltage drive (2.5 V, 4 V)  
Realization of low on-resistance, using extremely fine process (14 mΩ
/mm
2)  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
1
2
Parameter  
Drain-source surrender voltage  
Gate-source surrender voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
−
20  
Unit  
V
(0.65) (0.65)  
1.3±0.1  
2.0±0.2  
V
±10  
10°  
A
−
3.0  
1
Peak drain current
*  
IDP  
A
−
16  
2
Power dissipation
*  
PD  
500  
mW  
°
C  
°
C  
1: Gate  
Channel temperature  
Storage temperature  
T
ch  
150  
2: Source  
3: Drain  
T
stg  
–55 to +150  
SMini3-G1 Package  
Note) 1: Pulse width ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%  
*
Marking Symbol: BL  
Internal Connection  
2: Measuring on ceramic substrate at 40 mm 38 mm 0.1 mm  
Absolute maximum rating without heat sink for PD is 150 mW  
*
(D)  
3
1
2
(G)  
(S)  
Electrical Characteristics T
a
= 25
°
C
±
3
°
C  
Parameter  
Drain-source surrender voltage  
Drain-source cutoff current  
Gate-source cutoff current  
Gate threshold voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VDSS  
IDSS  
IGSS  
VTH  
ID
−
1 mA, VGS = 0  
−
20  
VDS
−
20 V, VGS = 0  
−
1.0  
±10  
−
1.3  
55  
µA  
µA  
V
VGS ±8 V, VDS = 0  
ID
−
1.0 mA, VDS
−
10.0 V  
ID
−
1A, VGS
−
4.0 V  
ID
−
0.5A, VGS
−
2.5 V  
ID
−
1.0A, VDS
−
10 V, f = 1 kHz  
−
0.4  
3.5  
−
0.85  
40  
1
Drain-source ON resistance
*  
RDS(on)  
mΩ  
S
45  
70  
1
Forward transfer admittance
*  
Yfs  
Short-circuit forward transfer capacitance  
(Common source)  
Ciss  
1000  
120  
pF  
Short-circuit output capacitance  
(Common source)  
VDS
−
10 V, VGS = 0, f = 1 MHz  
Coss  
pF  
Reverse transfer capacitance (Common source)  
Crss  
td(on)  
tr  
120  
25  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
2
Turn-on delay time
*  
V
DD
−
10V,V
GS
= 0Vto
−
4V, I
D
−
1A  
V
DD
−
10V,V
GS
= 0Vto
−
4V, I
D
−
1A  
V
DD
−10V,V
GS
−
4Vto0V, I
D
−
1A  
V
DD
−10V,V
GS
−
4Vto0V, I
D
−
1A  
2
Rise time
*  
25  
2
Fall time
*  
tf  
70  
2
Turn-off delay time
*  
td(off)  
120  
Publication date: October 2005  
SJF00049AED  
1
123

中文翻译

下载PDF

与MTM23123相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTM231230L PANASONIC

获取价格

 		Silicon P-channel MOSFET For Switching
MTM231232LBF PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
MTM23223 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM232230LBF PANASONIC

获取价格

 		Silicon N-channel MOS FET
MTM232232LBF PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM23224 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM232270LBF PANASONIC

获取价格

 		Silicon N-channel MOSFET For switching Low drive voltage: 2.5 V drive
MTM24N50 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 450V 24A
MTM24N50E MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
MTM25N05 MOTOROLA

获取价格

 		25A, 50V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

与MTM23123相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证