MRF9060MR1

更新时间： 2024-10-01 04:14:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管光电二极管放大器局域网
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描述
The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs

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MRF9060MR1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, TO-270, CASE 1265-08, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-270AA	JESD-30 代码：	R-PDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	223 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF9060MR1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF9060M/D

The RF Sub–Micron MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices

make them ideal for large–signal, common–source amplifier applications in

26 volt base station equipment.

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945 MHz, 60 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

• Typical Performance at 945 MHz, 26 Volts

Output Power — 60 Watts PEP

Power Gain — 18.0 dB

RF POWER MOSFETs

Efficiency — 40% (Two Tones)

IMD — –31.5 dBc

• Integrated ESD Protection

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 MHz, 60 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

CASE 1265–07, STYLE 1

TO–270 DUAL LEAD

PLASTIC

• TO–270 Dual Lead Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per

24 mm, 13 inch Reel.

MRF9060MR1

• TO–272 Dual Lead Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per

44 mm, 13 inch Reel.

CASE 1337–01, STYLE 1

TO–272 DUAL LEAD

PLASTIC

MRF9060MBR1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

223

1.79

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

175

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.56

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 4

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF9060MR1 MRF9060MBR1

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...12

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