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MRF6S23140HR3

更新时间： 2024-01-14 05:54:53
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数 文件大小 规格书
12页 434K
描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF6S23140HR3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：68 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF6S23140HR3 数据手册

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Document Number: MRF6S23140H  
Rev. 1, 5/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2300 to  
2400 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro and multicarrier amplifier applications.  
To be used in Class AB and Class C WLL applications.  
MRF6S23140HR3  
MRF6S23140HSR3  
• Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1300 mA,  
P
out = 28 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth =  
3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
Power Gain — 15.2 dB  
2300-2400 MHz, 28 W AVG., 28 V  
2 x W-CDMA  
Drain Efficiency — 25%  
IM3 @ 10 MHz Offset — -37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth  
ACPR @ 5 MHz Offset — -40 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 2390 MHz, 140 Watts CW  
Output Power  
Features  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation  
• Integrated ESD Protection  
• Lower Thermal Resistance Package  
CASE 465B-03, STYLE 1  
NI-880  
• Designed for Lower Memory Effects and Wide Instantaneous Bandwidth  
MRF6S23140HR3  
Applications  
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
CASE 465C-02, STYLE 1  
NI-880S  
MRF6S23140HSR3  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
-0.5, +68  
-0.5, +12  
- 65 to +150  
150  
Unit  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
V
DSS  
Gate-Source Voltage  
V
GS  
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
T
°C  
C
T
200  
°C  
J
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
(1,2)  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Case Temperature 82°C, 140 W CW  
Case Temperature 75°C, 28 W CW  
R
θ
JC  
°C/W  
0.29  
0.33  
Table 3. ESD Protection Characteristics  
Test Methodology  
Class  
Human Body Model (per JESD22-A114)  
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)  
Charge Device Model (per JESD22-C101)  
2 (Minimum)  
A (Minimum)  
IV (Minimum)  
1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access  
the MTTF calculators by product.  
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
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