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MRF6S9045MBR1

更新时间： 2024-01-31 00:57:57

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF6S9045MBR1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-272	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	68 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-272
JESD-30 代码：	R-PDFM-F2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	175 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF6S9045MBR1 数据手册

Document Number: MRF6S9045

Rev. 1, 6/2005

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF6S9045NR1

MRF6S9045NBR1

MRF6S9045MR1

MRF6S9045MBR1

Designed for broadband commercial and industrial applications with

frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of

these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier

applications in 28 volt base station equipment.

• Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz, V_DD= 28 Volts,

_DQ= 350 mA, P_out= 10 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,

Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR =

9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Power Gain — 22.7 dB

Drain Efficiency — 32%

ACPR @ 750 kHz Offset — -47 dBc @ 30 kHz Bandwidth

880 MHz, 10 W AVG., 28 V

SINGLE N-CDMA

LATERAL N-CHANNEL

GSM EDGE Application

• Typical GSM EDGE Performance: V_DD= 28 Volts, I_DQ= 350 mA,

BROADBAND RF POWER MOSFETs

_out= 16 Watts Avg., Full Frequency Band (921-960 MHz)

Power Gain — 20 dB

Drain Efficiency — 46%

Spectral Regrowth @ 400 kHz Offset = -62 dBc

Spectral Regrowth @ 600 kHz Offset = -78 dBc

EVM — 1.5% rms

GSM Application

• Typical GSM Performance: V_DD= 28 Volts, I_DQ= 350 mA, P_out= 45 Watts,

Full Frequency Band (921-960 MHz)

Power Gain — 20 dB

CASE 1265-08, STYLE 1

TO-270-2

PLASTIC

MRF6S9045NR1(MR1)

Drain Efficiency — 68%

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 880 MHz, 45 Watts CW

Output Power

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Integrated ESD Protection

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations

• 200°C Capable Plastic Package

• TO-270-2 in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm,

CASE 1337-03, STYLE 1

TO-272-2

PLASTIC

MRF6S9045NBR1(MBR1)

13 inch Reel.

• TO-272-2 in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm,

13 inch Reel.

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 0.5, +68

- 0.5, +12

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

175

1.0

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...16

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