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MRF6S24140HSR3

更新时间： 2024-01-13 14:28:44

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF6S24140HSR3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	68 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	225 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF6S24140HSR3 数据手册

Document Number: MRF6S24140H

Rev. 0, 3/2007

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed primarily for large-signal output applications at 2450 MHz. Device

is suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

MRF6S24140HR3

MRF6S24140HSR3

• Typical CW Performance at 2450 MHz, V_DD= 28 Volts, I_DQ= 1200 mA,

P_out= 140 Watts

Power Gain — 13.2 dB

Drain Efficiency — 45%

2450 MHz, 140 W, 28 V

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2390 MHz, 140 Watts CW

Output Power

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Features

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Internally Matched for Ease of Use

• Qualified Up to a Maximum of 32 V_DDOperation

• Integrated ESD Protection

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465B-03, STYLE 1

NI-880

MRF6S24140HR3

CASE 465C-02, STYLE 1

NI-880S

MRF6S24140HSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

-0.5, +68

-0.5, +12

- 65 to +150

150

Unit

Vdc

°C

Drain-Source Voltage

DSS

Gate-Source Voltage

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

stg

°C

200

°C

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

(1,2)

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

Case Temperature 82°C, 140 W CW

Case Temperature 75°C, 28 W CW

°C/W

0.29

0.33

1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access

the MTTF calculators by product.

2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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