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MRF6S27050HR3

更新时间： 2024-01-01 12:56:05
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频局域网
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12页 464K
描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF6S27050HR3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.65
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLEFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：225 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF6S27050HR3 数据手册

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Document Number: MRF6S27050H  
Rev. 0, 11/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2500 to  
2700 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro, BWA, and OFDM multicarrier Class  
AB and Class C amplifier applications.  
MRF6S27050HR3  
MRF6S27050HSR3  
• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ  
=
500 mA, Pout = 7 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth =  
3.84 MHz. PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
Power Gain — 16 dB  
2500-2700 MHz, 7 W AVG., 28 V  
SINGLE W-CDMA  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
Drain Efficiency — 22.5%  
ACPR @ 5 MHz Offset — -42.5 dBc @ 3.84 MHz Channel Bandwidth  
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2600 MHz, 50 Watts CW  
Output Power  
Features  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
• Internally Matched for Ease of Use  
• Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation  
• Integrated ESD Protection  
CASE 465-06, STYLE 1  
NI-780  
• Lower Thermal Resistance Package  
MRF6S27050HR3  
• Designed for Lower Memory Effects and Wide Instantaneous Bandwidth  
Applications  
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
CASE 465A-06, STYLE 1  
NI-780S  
MRF6S27050HSR3  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
-0.5, +68  
-0.5, +12  
- 65 to +150  
150  
Unit  
Vdc  
Vdc  
°C  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
V
DSS  
V
GS  
T
stg  
T
°C  
C
(1,2)  
Operating Junction Temperature  
T
225  
°C  
J
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
(2,3)  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Case Temperature 80°C, 43 W CW  
Case Temperature 72°C, 7 W CW  
R
θ
JC  
°C/W  
0.85  
0.98  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access the MTTF  
calculators by product.  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
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