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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF6408
MRF6408 PDF预览

MRF6408

更新时间： 2024-11-11 22:51:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF6408 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81外壳连接：EMITTER
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：24 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：60 W
最小功率增益 (Gp)：7.5 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF6408 数据手册

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by MRF6408/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed for PCN and PCS base station applications, the MRF6408  
incorporates high value emitter ballast resistors, gold metallizations and offers  
a high degree of reliability and ruggedness.  
12 W, 2.0 GHz  
RF POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
•
To be used in class AB for PCN–PCS / Cellular Radio  
Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics  
Output Power = 12 Watts CW  
Typical Gain = 8.8 dB  
Typical Efficiency = 42%  
•
•
Specified 26 Volts, 1.99 GHz Characteristics  
Output Power = 12 Watts CW  
Typical Gain = 8.3 dB  
Typical Efficiency = 39%  
Circuit Board Photomaster Available by Ordering Document  
MRF6408PHT/D from Motorola Literature Distribution.  
CASE 395C–01, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
24  
60  
4
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CES  
EBO  
V
Collector–Current — Continuous  
I
C
5
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
60  
0.35  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (1)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
2.8  
°C/W  
θJC  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, I = 0)  
V
V
24  
4
30  
5
—
—
—
6
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
(BR)CEO  
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 5.0 mAdc, I = 0)  
(BR)EBO  
B
C
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, V = 0)  
V
55  
—
64  
—
(BR)CES  
C
BE  
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, V  
I
CES  
= 0)  
BE  
CE  
(1) Thermal resistance is determined under specified RF operating condition.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1997  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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