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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF6414
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MRF6414

更新时间： 2024-11-11 22:51:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF6414 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
Is Samacsys：N其他特性：WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：28 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F6
元件数量：1端子数量：6
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：134 W最小功率增益 (Gp)：8.5 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF6414 数据手册

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by MRF6414/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
The MRF6414 is designed for 26 volt UHF large signal, common emitter,  
class AB linear amplifier applications.  
50 W, 960 MHz  
•
Specified 26 Volt, 960 MHz Characteristics  
Output Power = 50 Watts  
RF POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Minimum Gain = 8.5 dB @ 960 MHz, Class AB  
Minimum Efficiency = 50% @ 960 MHz, 50 Watts  
•
•
Silicon Nitride Passivated  
Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal  
Migration  
•
Circuit Board Photomaster Available by Ordering Document  
MRF6414PHT/D from Motorola Literature Distribution.  
CASE 333A–02, STYLE 2  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
28  
65  
4
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Emitter–Base Voltage  
Collector–Current — Continuous  
I
C
6
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
134  
0.77  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.3  
°C/W  
θJC  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 20 mAdc, I = 0)  
V
V
V
28  
65  
4
—
—
—
—
—
—
—
10  
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 20 mAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 mAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector–Emitter Leakage Current (V  
= 30 Vdc, R  
= 75 Ω)  
I
CER  
—
mAdc  
CE  
BE  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I  
CE  
= 1 Adc, V  
CE  
= 5 Vdc)  
h
FE  
30  
—
120  
—
Motorola, Inc. 1995  
123456

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MRF6414 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SD4701 STMICROELECTRONICS

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