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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF6409
MRF6409 PDF预览

MRF6409

更新时间： 2024-11-11 22:51:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 277K
描述
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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MRF6409 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
Is Samacsys：N其他特性：WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR, HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：24 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F6
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：45 W
最小功率增益 (Gp)：10 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF6409 数据手册

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by MRF6409/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
The MRF6409 is designed for GSM base stations applications. It incorpo-  
rates high value emitter ballast resistors, gold metallizations and offers a high  
degree of reliability and ruggedness.  
•
•
To be used in Class AB  
20 W, 960 MHz  
RF POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
Specified 26 Volts, 960 MHz Characteristics  
Output Power — 20 Watts CW  
Gain — 11 dB Typ  
Efficiency — 60% Typ  
CASE 319–07, STYLE 2  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
24  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
55  
CES  
EBO  
V
4.0  
5.0  
Collector–Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
45  
0.26  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (1)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
3.8  
°C/W  
θJC  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, I = 0)  
V
V
24  
4.0  
55  
—
30  
5.0  
60  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
(BR)CEO  
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 5.0 mAdc, I =0)  
(BR)EBO  
B
C
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, V = 0)  
V
—
(BR)CES  
C
BE  
Collector–Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, V = 0)  
I
6.0  
CES  
CE  
BE  
(1) Thermal resistance is determined under specified RF operating condition.  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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