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MMG20271H9T1

更新时间： 2024-09-15 19:27:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器射频微波
页数 文件大小 规格书
18页 885K
描述
E-pHEMT GPA/LNA, 1500-2700 MHz, 16 dB, 27.5 dBm

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MMG20271H9T1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：4.50 X 2.50 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 2142-01, SOT-89A, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.7
Samacsys Description：NXP - MMG20271H9T1 - RF AMPLIFIER, 2700MHZ, SOT-89-3特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：13.4 dB
最大输入功率 (CW)：25 dBmJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：3最大工作频率：2700 MHz
最小工作频率：1500 MHz封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：TO-243电源：5 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND MEDIUM POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：271 mA表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

MMG20271H9T1 数据手册

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Document Number: MMG20271H9  
Rev. 0, 12/2011  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Enhancement Mode pHEMT  
Technology (E--pHEMT)  
MMG20271H9T1  
High Linearity Amplifier  
The MMG20271H9 is a high dynamic range, single--stage, low noise amplifier  
MMIC, housed in a SOT--89 standard plastic package. With high OIP3 and low  
noise figure, it can be utilized as a driver amplifier in the transmit chain and as a  
second--stage LNA in the receive chain. It is ideal for cellular, PCS, LTE,  
TD--SCDMA, W--CDMA base station, wireless LAN and other systems in the  
1500 to 2700 MHz frequency range.  
1500--2700 MHz, 16 dB  
27.5 dBm  
E--pHEMT  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Frequency: 1500--2700 MHz  
Noise Figure: 1.7 dB @ 2140 MHz  
P1dB: 27.5 dBm @ 2140 MHz  
CASE 2142--01  
SOT--89  
Small--Signal Gain: 16 dB @ 2140 MHz  
Third Order Output Intercept Point: 43.1 dBm @ 2140 MHz  
Class 2 HBM ESD Immunity  
PLASTIC  
Single 5 Volt Supply  
Supply Current: 215 mA  
50 Ohm Operation (some external matching required)  
Cost--effective SOT--89 Surface Mount Package  
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units, 12 mm Tape Width, 7 inch Reel.  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
Rating  
Supply Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
1500 1900 2140 2700  
Symbol MHz MHz MHz MHz Unit  
Characteristic  
V
6
400  
DD  
DD  
Noise Figure  
NF  
1.9  
1.8  
1.7  
1.8  
dB  
Supply Current  
I
mA  
dBm  
°C  
Input Return  
Loss (S11)  
IRL  
-- 11 --12.1 --13.5 --18.5 dB  
RF Input Power  
P
25  
in  
Storage Temperature Range  
T
stg  
--65 to +150  
150  
Output Return  
Loss (S22)  
ORL  
-- 2 4 --25.3 -- 3 5  
-- 2 8  
dB  
dB  
(2)  
Junction Temperature  
T
J
°C  
2. For reliable operation, the junction temperature should not  
Small--Signal  
Gain (S21)  
G
18  
16.6  
16  
14.3  
p
exceed 150°C.  
Power Output  
@ 1dB  
Compression  
P1dB  
IIP3  
27.5 27.5  
27.5  
27.6 dBm  
29.9 dBm  
44.2 dBm  
Third Order  
Input Intercept  
Point  
23  
41  
25.2  
41.8  
27.1  
43.1  
Third Order  
Output Intercept  
Point  
OIP3  
1. V = 5 Vdc, T = 25°C, 50 ohm system, application circuit tuned  
DD  
A
for specified frequency.  
Table 3. Thermal Characteristics  
(3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
29  
°C/W  
JC  
Case Temperature 91°C, 5 Vdc, 220 mA, no RF applied  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2011. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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