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MMG3002NT1

更新时间： 2024-09-15 05:49:23
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管
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16页 334K
描述
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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Document Number: MMG3002NT1  
Rev. 9, 3/2008  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Heterojunction Bipolar Transistor  
Technology (InGaP HBT)  
MMG3002NT1  
Broadband High Linearity Amplifier  
The MMG3002NT1 is a General Purpose Amplifier that is internally  
input and output matched. It is designed for a broad range of Class A,  
small-signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for  
applications with frequencies from 40 to 3600 MHz such as Cellular, PCS,  
BWA, WLL, PHS, CATV, VHF, UHF, UMTS and general small-signal RF.  
40-3600 MHz, 20 dB  
21 dBm  
Features  
InGaP HBT  
• Frequency: 40-3600 MHz  
• P1dB: 21 dBm @ 900 MHz  
• Small-Signal Gain: 20 dB @ 900 MHz  
• Third Order Output Intercept Point: 37.5 dBm @ 900 MHz  
• Single Voltage Supply  
• Internally Matched to 50 Ohms  
• Low Cost SOT-89 Surface Mount Package  
• RoHS Compliant  
1
2
3
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.  
CASE 1514-02, STYLE 1  
SOT-89  
PLASTIC  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
Rating  
Supply Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Characteristic  
Symbol 900 2140 3500 Unit  
MHz MHz  
MHz  
V
7
400  
CC  
CC  
Small-Signal Gain  
(S21)  
G
20  
-16  
-12  
21  
18  
-26  
-8  
14.5  
dB  
dB  
dB  
p
Supply Current  
I
mA  
dBm  
°C  
RF Input Power  
P
12  
in  
Input Return Loss  
(S11)  
IRL  
ORL  
P1db  
IP3  
-16  
-11  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-65 to +150  
150  
(2)  
Junction Temperature  
T
°C  
J
Output Return Loss  
(S22)  
2. For reliable operation, the junction temperature should not  
exceed 150°C.  
Power Output @  
1dB Compression  
21  
36  
18.5 dBm  
Third Order Output  
Intercept Point  
37.5  
32  
dBm  
1. V = 5.2 Vdc, T = 25°C, 50 ohm system  
CC  
C
Table 3. Thermal Characteristics (V = 5.2 Vdc, I = 110 mA, T = 25°C)  
CC  
CC  
C
(3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
46.5  
°C/W  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2004-2008. All rights reserved.  
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