5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMG3005NT1
MMG3005NT1 PDF预览

MMG3005NT1

更新时间： 2024-11-18 03:04:23
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管射频微波
页数 文件大小 规格书
20页 254K
描述
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMG3005NT1 数据手册

 浏览型号MMG3005NT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMG3005NT1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMG3005NT1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMG3005NT1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMG3005NT1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMG3005NT1的Datasheet PDF文件第7页 
Document Number: MMG3005NT1  
Rev. 1, 11/2005  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Heterojunction Bipolar Transistor  
Technology (InGaP HBT)  
MMG3005NT1  
Broadband High Linearity Amplifier  
The MMG3005NT1 is a General Purpose Amplifier that is internally  
prematched and designed for a broad range of Class A, small-signal, high  
linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with  
frequencies from 800 to 2200 MHz such as Cellular, PCS, WLL, PHS,  
VHF, UHF, UMTS and general small-signal RF.  
800-2200 MHz, 15 dB  
30 dBm  
Features  
InGaP HBT  
• Frequency: 800-2200 MHz  
• P1dB: 30 dBm @ 2140 MHz  
• Small-Signal Gain: 15 dB @ 2140 MHz  
• Third Order Output Intercept Point: 47 dBm @ 2140 MHz  
• Single 5 Volt Supply  
• Internally Prematched to 50 Ohms  
• Pb-Free Leads. RoHS Compliant.  
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.  
CASE 1543-02  
PQFN 5x5  
PLASTIC  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Characteristic  
Symbol 900 1960 2140 Unit  
MHz MHz  
MHz  
(2)  
Supply Voltage  
V
6
600  
DC  
DC  
Small-Signal Gain  
(S21)  
G
18.5 15.5  
15  
dB  
dB  
p
(2)  
Supply Current  
RF Input Power  
I
mA  
dBm  
°C  
P
in  
18  
Input Return Loss  
(S11)  
IRL  
ORL  
P1db  
IP3  
-14  
-12  
30  
-10  
-7  
-11  
-7  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-65 to +150  
150  
(3)  
Junction Temperature  
T
J
°C  
Output Return Loss  
(S22)  
dB  
2. Continuous voltage and current applied to device.  
3. For reliable operation, the junction temperature should not  
Power Output @1dB  
Compression  
30  
47  
30  
47  
dBm  
dBm  
exceed 150°C.  
Third Order Output  
Intercept Point  
47  
1. V = 5 Vdc, T = 25°C, 50 ohm system  
DC  
C
Table 3. Thermal Characteristics (V = 5 Vdc, I = 480 mA, T = 25°C)  
DC  
DC  
C
(4)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
JC  
21.5  
°C/W  
4. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes - AN1955.  
Freescale Semiconductor, Inc., 2005. All rights reserved.  
1234567...20

中文翻译

下载PDF

与MMG3005NT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMG3005NT1_08 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3006N NXP

获取价格

 		InGaP HBT GPA, 400-2400 MHz, 17.5 dB, 33 dBm
MMG3006NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3006NT1_08 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
MMG3007NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)
MMG3007NT1_08 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)
MMG3007NT1_12 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor
MMG3008NT1 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor(InGaP HBT)
MMG3008NT1_08 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT)
MMG3008NT1_12 FREESCALE

获取价格

 		Heterojunction Bipolar Transistor

与MMG3005NT1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证