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MMG3001NT1

更新时间： 2024-11-18 20:14:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
14页 386K
描述
40MHz - 3600MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1514-02, SOT-89, 3 PIN

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MMG3001NT1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：TO-243
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：5.14
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：11607563Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：MMG3001NT1-1Samacsys Released Date：2020-04-08 12:14:27
Is Samacsys：N特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：18 dB
最大输入功率 (CW)：10 dBmJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：3最大工作频率：3600 MHz
最小工作频率：40 MHz封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：TO-243电源：5.6 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：75 mA表面贴装：YES
技术：BIPOLAR端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

MMG3001NT1 数据手册

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Document Number: MMG3001NT1  
Rev. 9, 10/2014  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Heterojunction Bipolar Transistor  
Technology (InGaP HBT)  
Broadband High Linearity Amplifier  
MMG3001NT1  
The MMG3001NT1 is a general purpose amplifier that is internally input  
and output matched. It is designed for a broad range of Class A, small--  
signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for  
applications with frequencies from 40 to 3600 MHz, such as cellular, PCS,  
BWA, WLL, PHS, CATV, VHF, UHF, UMTS and general small--signal RF.  
40--3600 MHz, 20 dB  
18.5 dBm  
InGaP HBT GPA  
Features  
Frequency: 40--3600 MHz  
P1dB: 18.5 dBm @ 900 MHz  
Small--Signal Gain: 20 dB @ 900 MHz  
Third Order Output Intercept Point: 32 dBm @ 900 MHz  
Single Voltage Supply  
Internally Matched to 50 Ohms  
Cost--effective SOT--89 Surface Mount Plastic Package  
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7--inch Reel.  
1
2
3
SOT--89  
Table 1. Typical Performance (1)  
Table 2. Maximum Ratings  
Rating  
Supply Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
900  
2140 3500  
Characteristic  
Symbol MHz MHz MHz Unit  
V
7
300  
CC  
CC  
Small--Signal Gain  
(S21)  
G
20  
18  
16  
dB  
dB  
dB  
p
Supply Current  
I
mA  
dBm  
C  
RF Input Power  
P
10  
in  
Input Return Loss  
(S11)  
IRL  
-- 2 5  
-- 2 2  
-- 2 5  
-- 1 8  
-- 1 9  
-- 1 7  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
stg  
--65 to +150  
150  
T
J
C  
Output Return Loss  
(S22)  
ORL  
Power Output @1dB  
Compression  
P1dB  
OIP3  
18.5  
32  
18  
31  
15.5 dBm  
28.5 dBm  
Third Order Output  
Intercept Point  
1. V = 5.6 Vdc, T = 25C, 50 ohm system.  
CC  
A
Table 3. Thermal Characteristics  
(2)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
92.0  
JC  
Case Temperature 123C, 5.6 Vdc, 58 mA, no RF applied  
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
Freescale Semiconductor, Inc., 2004--2008, 2012, 2014. All rights reserved.  
1234567...14

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