MMDT5551

更新时间： 2024-11-13 22:46:07

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美台 - DIODES		晶体晶体管
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2页	42K
描述
DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMDT5551 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

MMDT5551 数据手册

MMDT5551

DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features

Epitaxial Planar Die Construction

Complementary PNP Type Available

(MMDT5401)

Ideal for Medium Power Amplification and

Switching

Ultra-Small Surface Mount Package

SOT-363

Dim

Min

0.10

1.15

2.00

Max

0.30

1.35

2.20

C₂

B₁

E₁

KXX

K X X _B

0.65 Nominal

E₂

B₂

C₁

Mechanical Data

0.30

1.80

0.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.25

Case: SOT-363, Molded Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

0.90

0.25

0.10

Terminal Connections: See Diagram

Marking: K4N

Weight: 0.006 grams (approx.)

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

MMDT5551

180

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

160

Emitter-Base Voltage

6.0

Collector Current - Continuous (Note 1)

Power Dissipation (Note 1, 2)

200

K/W

°C

P_d

200

R_qJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage and Temperature Range

625

T_j, T_STG

-55 to +150

Notes:

1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.

2. Maximum combined dissipation.

DS30172 Rev. C-1

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