MMBTH11

更新时间： 2024-01-16 19:30:30

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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8页	184K
描述
NPN RF Transistor

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MMBTH11 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	135 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	660 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

MMBTH11 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

MPSH11

MMBTH11

TO-92

SOT-23

Mark: 3G

NPN RF Transistor

This device is designed for common-emitter low noise amplifier

and mixer applications with collector currents in the 100 µA to

10 mA range to 300 MHz, and low frequency drift common-base

VHF oscillator applications with high output levels for driving

FET mixers. Sourced from Process 47.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

3.0

Collector Current - Continuous

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

MPSH11

*MMBTH11

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

350

2.8

125

225

1.8

mW/°C

°C/W

R_θ

Thermal Resistance, Junction to Ambient

357

556

°C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7 8

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MMBTH11 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBTH10-4LT1G	ONSEMI	功能相似	VHF/UHF Transistor
MMBTH10-7-F	DIODES	功能相似	NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR
MMBTH10LT1G	ONSEMI	功能相似	VHF/UHF Transistor

与MMBTH11相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTH11D87Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
MMBTH11D87Z	TI	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH11L99Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
MMBTH11L99Z	TI	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH11S62Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
MMBTH20	TI	获取价格	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH20D87Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
MMBTH20D87Z	TI	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH20L99Z	TI	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH20S62Z	TI	获取价格	VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

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