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MMBTH20

更新时间: 2024-11-01 14:43:39
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
6页 307K
描述
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

MMBTH20 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:0.65 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:135 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):620 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

MMBTH20 数据手册

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