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MMBTH24 PDF预览

MMBTH24

更新时间： 2024-09-26 22:54:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
NPN RF Transistor

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MMBTH24 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.15
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：0.36 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：400 MHzBase Number Matches：1

MMBTH24 数据手册

 浏览型号MMBTH24的Datasheet PDF文件第2页 
Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
MPSH24  
MMBTH24  
C
E
TO-92  
C
B
B
SOT-23  
Mark: 3A  
E
NPN RF Transistor  
This device is designed for common-emitter low noise  
amplifier and mixer applications with collector currents  
in the 100 µA to 20 mA range to 300 MHz, and low  
frequency drift common-base VHF oscillator applications  
with high output levels for driving FET mixers. Sourced  
from Process 47. See MPSH11 for characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
40  
4.0  
50  
V
V
V
Collector Current - Continuous  
mA  
°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
MPSH24  
*MMBTH24  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
556  
Rθ  
°C/W  
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
12

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