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MMBTH34L99Z

更新时间： 2024-09-27 15:43:35

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	69K
描述
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

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MMBTH34L99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	500 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTH34L99Z 数据手册

October 1985

MMBTH34 Surface Mount NPN RF-IF Amp

General Description

This device was designed for common-emitter low noise

amplifier and mixer applications in the 100 mA to 15 mA

range to 300 MHz, and low frequency drift common-base

VHF oscillator applications with high output levels for driving

FET mixers.

Absolute Maximum Ratings

Collector-Base Voltage

TL/G/8548–1

45V

4.0V

Marking:

Emitter-Base Voltage

MMBTH34-3K

Collector CurrentÐContinuous

100 mA

Refer to Process 47 for graphs.

Total Device Dissipation, T

Derate above 25 C (Note 1)

25 C

350 C

2.8 mW/ C

Operating Temperature Range

55 C to 150 C

Storage Temperature Range

Lead Temperature for 10 seconds

300 C

Note 1: Package mounted on 99.5% alumina 10 x 8 x 0.6 mm.

Electrical Characteristics T

Symbol

25 C unless otherwise specified

Conditions

Min

Typ

Max

Units

100 mA

1.0 mA

10 mA

CBO

CEO

EBO

4.0

30V

CBO

CES

30V

15V, I

7.0 mA

20 mA

2.0 mA

7.0 mA

2.0V, I

20 mA, I

0.5

CE(s)

15V, I

0.95

0.32

BE(on)

1 MHz

10V, f

100 MHz

15V, I

15 mA, f

5.0

Order Number MMBTH34 or MMBTH34-HIGH

See NS Package Number M03

1995 National Semiconductor Corporation

TL/G/8548

RRD-B30M115/Printed in U. S. A.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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