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MMBTRA104SS

更新时间： 2024-01-09 09:21:31

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	168K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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MMBTRA104SS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	4.93	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTRA104SS 数据手册

MMBTRA101SS…MMBTRA106SS

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and interface circuit and drive circuit

applications

Collector

(Output)

Features

Base

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

(Input)

SOT-23 Plastic Package

Emitter

(Common)

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Resistor Values

Type

R1 (KΩ)

4.7

R2 (KΩ)

4.7

MMBTRA101SS

MMBTRA102SS

MMBTRA103SS

MMBTRA104SS

MMBTRA105SS

MMBTRA106SS

2.2

4.7

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

-V_O

Value

Unit

Output Voltage

20, -10

30, -10

40, -10

12, -5

20, -5

100

MMBTRA101SS

MMBTRA102SS

MMBTRA103SS

MMBTRA104SS

MMBTRA105SS

MMBTRA106SS

Input Voltage

-V_I

Output Current

-I_O

Total Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_S

- 55 to + 150

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 08/12/2006

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