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MMBTRA110SS

更新时间： 2024-10-01 14:53:11

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数字三极管

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MMBTRA110SS 数据手册

MMBTRA110SS…MMBTRA114SS

PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors

Features

Collector

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

Base

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

SOT-23 Plastic Package

Emitter

Applications

• For switching and interface circuit and drive circuit applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

100

℃

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 29/03/2023 Rev: 02

12 3 4

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