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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MMBTH34
MMBTH34 PDF预览

MMBTH34

更新时间： 2024-09-26 22:54:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
MMBTH34 Surface Mount NPN RF-IF Amp

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MMBTH34 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.73
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：135 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：500 MHz
Base Number Matches：1

MMBTH34 数据手册

 浏览型号MMBTH34的Datasheet PDF文件第2页 
October 1985  
MMBTH34 Surface Mount NPN RF-IF Amp  
General Description  
This device was designed for common-emitter low noise  
amplifier and mixer applications in the 100 mA to 15 mA  
range to 300 MHz, and low frequency drift common-base  
VHF oscillator applications with high output levels for driving  
FET mixers.  
Absolute Maximum Ratings  
Collector-Base Voltage  
TL/G/8548–1  
45V  
4.0V  
Marking:  
Emitter-Base Voltage  
MMBTH34-3K  
Collector CurrentÐContinuous  
100 mA  
Refer to Process 47 for graphs.  
e
Total Device Dissipation, T  
A
Derate above 25 C (Note 1)  
25 C  
§
350 C  
§
2.8 mW/ C  
§
§
Operating Temperature Range  
b
b
a
55 C to 150 C  
§
§
§
a
55 C to 150 C  
Storage Temperature Range  
§
Lead Temperature for 10 seconds  
300 C  
§
Note 1: Package mounted on 99.5% alumina 10 x 8 x 0.6 mm.  
e
Electrical Characteristics T  
Symbol  
25 C unless otherwise specified  
§
A
Conditions  
Min  
45  
Typ  
Max  
Units  
V
e
e
e
BV  
BV  
BV  
I
I
I
100 mA  
1.0 mA  
10 mA  
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
45  
V
4.0  
V
e
CB  
I
I
V
V
V
V
30V  
50  
50  
nA  
nA  
CBO  
CES  
e
e
e
30V  
CE  
CE  
CE  
e
C
h
h
15V, I  
7.0 mA  
20 mA  
2.0 mA  
7.0 mA  
40  
15  
FE  
e
2.0V, I  
FE  
C
B
e
C
e
e
V
V
I
20 mA, I  
0.5  
V
V
CE(s)  
e
V
CE  
V
CB  
V
CE  
15V, I  
C
0.95  
0.32  
BE(on)  
e
e
e
1 MHz  
C
10V, f  
pF  
cb  
fe  
e
e
100 MHz  
h
15V, I  
15 mA, f  
5.0  
C
Order Number MMBTH34 or MMBTH34-HIGH  
See NS Package Number M03  
C
1995 National Semiconductor Corporation  
TL/G/8548  
RRD-B30M115/Printed in U. S. A.  
12

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