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MMBTH24LT1

更新时间： 2024-09-27 20:15:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
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22页 291K
描述
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBTH24LT1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：0.45 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：620 MHzBase Number Matches：1

MMBTH24LT1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
NPN Silicon  
•
•
Designed for  
= 400 MHz Min @ 8 mA  
1
f
T
BASE  
3
2
1
EMITTER  
2
CASE 318-08, STYLE 6  
SOT-23 (TO-236AB)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
30  
40  
4.0  
50  
Vdc  
Vdc  
Collector Current – Continuous  
I
C
mAdc  
DEVICE MARKING  
MMBTH24LT1 = M3A  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(1)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR-5 Board  
= 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
225  
mW  
T
A
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
θJA  
P
D
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
θJA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
30  
40  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
50  
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 100 µAdc, I = 0)  
C
E
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 µAdc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
CB  
= 15 Vdc, I = 0)  
I
nAdc  
E
CBO  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
2–424  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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