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MMBTH24

更新时间: 2024-02-13 06:02:14
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
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1页 29K
描述
Transistor

MMBTH24 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.89
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:0.45 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.225 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):620 MHz

MMBTH24 数据手册

  

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